โตเกียว--(BUSINESS WIRE)--29 พฤศจิกายน 2017

Toshiba Memory Corporation,ผู้นำด้านโซลูชั่นหน่วยความจำระดับโลกได้เริ่มต้นการทดลองใช้งานอุปกรณ์ Universal Flash Storage (UFS) [1] โดยใช้หน่วยความจำแฟลช BiCS Flash™ 3D แฟลชเมมโมรี แบบ 64 เลเยอร์^[2] ที่ทันสมัยของ Toshiba Memory Corporation อุปกรณ์ UFS รุ่นใหม่ตอบสนองความต้องการด้านประสิทธิภาพสำหรับการใช้งานที่ต้องการความเร็วในการอ่านและเขียนที่ และการใช้พลังงานไฟฟ้าต่ำ ซึ่งรวมถึงอุปกรณ์เคลื่อนที่ เช่น สมาร์ทโฟนและแท็บเล็ต และระบบสภาพแวดล้อมเสมือนจริง (augmented and virtual reality systems)

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีคุณลักษณะเป็นมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: http://www.businesswire.com/news/home/20171128006597/en/

อุปกรณ์ UFS ใช้งานเมมโมรีแฟลชแบบ 3D BiCS FLASH(TM) 64 เลเยอร์ของ Toshiba Memory Corporatio (รูปภาพ: Business Wire)

ผลิตภัณฑ์รุ่นใหม่นี้จะมีให้เลือกซื้อ 4 รุ่นความจุ ได้แก่ 32GB, 64GB, 128GB และ 256GB^[3] อุปกรณ์ทั้งหมดรวมหน่วยความจำแฟลชและคอนโทรลเลอร์ไว้ในชุดเดียวแบบ JEDEC มาตรฐาน 11.5 x 13 มม. ตัวคอนโทรลเลอร์จะดำเนินการแก้ไขข้อผิดพลาด ปรับระดับการสึกหรอ และแปลงlogical address เป็น physical address และ การจัดการกับ bad block ซึ่งช่วยให้ผู้ใช้สามารถลดความซับซ้อนของการพัฒนาระบบ

อุปกรณ์ทั้งสี่นี้ยังคงเป็นเหมือน JEDEC UFS Ver2.1 ซึ่งรวมถึง HS-GEAR3 ซึ่งมีความเร็วในการเชื่อมต่อทางทฤษฎีถึง 5.8 Gbps ต่อเลน (x2 เลน = 11.6Gbps) และยังช่วยลดการใช้พลังงานได้อีกด้วย สมรรถนะในการอ่านและเขียนต่อเนื่องของอุปกรณ์รุ่น 64GB อยู่ที่ 900MB / วินาที และ 180MB / วินาที ขณะที่การอ่านและเขียนแบบสุ่มดีกว่ารุ่นก่อน ๆ ประมาณ 200% และ 185%^[5]. เนื่องจากมีอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงสนับสนุนการทำงานแบบ full duplexing ซึ่งจะช่วยให้สามารถอ่านและเขียนข้อมูลระหว่างโฮสต์โปรเซสเซอร์กับอุปกรณ์ UFS ได้อย่างต่อเนื่อง

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการที่กล่าวถึงในที่นี้ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ

หมายเหตุ

[1] Universal Flash Storage (UFS) เป็นผลิตภัณฑ์ประเภทผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังตัวที่สร้างขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐาน JEDEC UFS

[2] การจัดส่งตัวอย่างของอุปกรณ์รุ่น 64GB จะเริ่มในวันนี้ ส่วนผลิตภัณฑ์ที่เหลืออื่น ๆ ของสายการผลิตจะค่อย ๆ ทยอยส่ง หลังจากเดือนธันวาคม

[3] ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ไม่ใช้จํานวนหน่วยความจําที่สามารถจัดเก็บข้อมูลได้ โดยผู้ใช้ ความจุที่ใช้งานได้ของผู้บริโภคจะลดลงเนื่องจาก overhead data areas, การจัดรูปแบบบล็อกที่ไม่ถูกต้อง (bad blocks) และข้อจำกัดอื่น ๆ และอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์โฮสต์และการใช้งาน สำหรับรายละเอียดโปรดดูข้อกำหนดเฉพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

[4] ความเร็วในการอ่านและเขียนจะคำนวณให้ 1MB / s = 1,000,000 ไบต์ / วินาที ความเร็วในการอ่านและเขียนที่แท้จริงอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ เงื่อนไขการอ่านและเขียน และขนาดไฟล์

[5]อุปกรณ์รุ่น 64GB รุ่นก่อนหน้าของ Toshiba Memory Corporation "THGAF4G9N4LBAIR"

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายการตลาดหน่วยความจำ (Memory Marketing Division)
Tel: +81-3-3457-3461
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้รวมถึงราคาผลิตภัณฑ์และข้อกำหนดเนื้อหาบริการและข้อมูลการติดต่อที่ถูกต้องในวันที่ประกาศใช้ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ดูเวอร์ชันต้นฉบับได้ที่ businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20171128006597/en/

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Toshiba Memory Corporation
Koji Takahata, +81-3-3457-3822
ฝ่ายวางแผนกลยุทธ์การขาย (Sales Strategic Planning Division)
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp