โตเกียว--(BUSINESS WIRE)--28 กันยายน2017

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ประกาศเปิดตัวในวันนี้ เดี่ยวกับผลิตภัณฑ์ "TCK401G" (แอคทีฟไฮ ^[1]) และ "TCK402G" (แอคทีฟโลว์ ^[2]), ไดรเวอร์ แบบ N-channel MOSFET ที่รองรับแรงดันไฟฟ้าอินพุตได้ถึง 2 โวลต์ ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานเพื่อการชาร์จอย่างรวดเร็ว และการใช้งานอื่น ๆ ที่ต้องใช้กระแสกำลังแรงสูง การจัดส่งแบบ IC ไดรฟ์เวอร์ MOSFET ใหม่ จะเริ่มในวันนี้

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีคุณลักษณะมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: http://www.businesswire.com/news/home/20170928005497/en/

ไอซี ไดรเวอร์ N-channel MOSFET "TCK401G" และ "TCK402G" ในแพคเกจขนาดเล็กลำหน้าวงการอุตสาหกรรมของToshiba Electronic Devices & Storage Corporation (รูปภาพ: Business Wire)

TCK401G และ TCK402G รุ่นใหม่มีฟังก์ชั่นบิลท์อินที่หลากหลาย เช่นการป้องกันกระแสเกินขนาด (overvoltage) การลดกระแสพุ่งเข้า (inrush current reduction) และ การขับกระแสเอาต์พุตออกโดยอัตโนมัติ (auto output discharge) แต่ยังสามารถบรรจุอยู่ในแพคเกจ WCSP6E ที่มีขนาดเล็กที่สุดในอุตสาหกรรม โดยมีขนาดเพียง 0.8 มม. x 1.2 มม. x 0.55 มม. (typical)^[3].

การใช้งานวงจรจ่ายไฟฟ้าที่มีประสิทธิภาพสูงจะเป็นไปได้ โดยใช้ไดรเวอร์กับ N-channel MOSFET แบบภายนอก(external)ที่มีอัตราแรงดันไฟฟ้าสูงสุด กับออนรีซิสแตนซ์ที่เหมาะสมต่อการใช้งานตามเป้าหมาย ดังจะเห็นได้จากตัวอย่างการใช้งานร่วมกันของไดรเวอร์ MOSFET ใหม่กับ ออนรีซิสแตนซ์ SSM6K513NU MOSFET แบบกำลังต่ำ ซึ่งเหมาะสำหรับแอพพลิเคชันบนมือถือและสินค้าอุปโภคบริโภคเนื่องจากสามารถสร้างวงจรจ่ายไฟขนาด 100 W ได้ในพื้นที่ขนาดเล็ก

การใช้งาน

• อุปกรณ์มือถือ

• สินค้าอุปโภคบริโภค

คุณสมบัติ

กำลังไฟฟ้าอินพุตกว้าง: V_{IN_opr} =2.7 to 28 V

แพคเกจ WCSP6E ขนาดเล็ก: 0.8×1.2 มม., t: 0.55 มม. (typ.)

การป้องกันกระแสเกินขนาด (overvoltage) การลดกระแสพุ่งเข้า (inrush current reduction) และ การขับกระแสเอาต์พุตออกโดยอัตโนมัติ (auto output discharge)

หมายเหตุ:

[1] เมื่อเทอร์มินัลอินพุตควบคุมโหมดอยู่ในสถานะสูง MOSFET ภายนอกจะถูกเปิดใช้งาน เมื่อเทอร์มินัลอินพุตควบคุมโหมดอยู่ในสถานะต่ำ MOSFET ภายนอกจะถูกปิด

[2] เมื่อเทอร์มินัลอินพุตควบคุมโหมดอยู่ในสถานะต่ำ MOSFET ภายนอกจะถูกเปิดใช้งาน เมื่อเทอร์มินัลอินพุตควบคุมโหมดอยู่ในสถานะที่สูง MOSFET ภายนอกจะถูกปิด

[3] การสำรวจไอซีไดรเวอร์ N-channel MOSFETเมื่อวันที่ 27 กันยายน 2017 ของ TDSC

[4] เวลาที่ V_GATE  จะถึงค่าที่กำหนดไว้ จะวัดจากตอนที่ V_CT มีค่ากลายเป็นครึ่งหนึ่งของค่า V_IH

ตามลิงค์ข้างล่างนี้เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสายจ่ผลิตภัณฑ์ IC ของ TDSC

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/linear/power-supply.html

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์สัญญาณขนาดเล็ก (Small Signal Device Sales & Marketing Department)
โทร: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาผลิตภัณฑ์และข้อกำหนดเนื้อหาบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) รวมความแข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่ได้รับการเปิดตัวจากบริษัทโตชิบาในเดือนกรกฎาคม 2017 เราได้ก้าวเข้ามาเป็นหนึ่งในบริษัทอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้แก่ลูกค้า และคู่ค้าทางธุรกิจในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 19,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสร้างยอดขายรายปีในขณะนี้สูงกว่า 700 พันล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) เพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคนทุกที่

ดูข้อมูลของเราเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับได้ที่ businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20170928005497/en/

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
ฝ่ายการตลาดดิจิตอล (Digital Marketing Department)
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp