บรรลุขีดความสามารถที่ใหญ่ที่สุดในโลก 1.5TB ในแพ็กเกจเดียวพร้อมชิป BiCS FLASH ™

โตเกียว--(BUSINESS WIRE)-- 28 มิถุนายน 2560

บริษัทโตชิบาเมมโมรี่คอร์ปอเรชั่น หรือ Toshiba Memory Corporation ซึ่งเป็นผู้นำด้านโซลูชั่นหน่วยความจำระดับโลกได้ประกาศในวันนี้เกี่ยวกับการพัฒนาหน่วยความจำแฟลชแบบ 3D (three-dimensional (3D) flash memory^[2] ) ที่มีโครงสร้างเซลล์ซ้อนกันตัวแรกของโลก โดยอุปกรณ์รุ่นที่ชื่อว่า BiCS FLASH ™ ตัวล่าสุดนี้จะเป็นอุปกรณ์แรกที่นำเสนอเทคโนโลยีแบบ 4 บิตต่อเซลล์ (สี่เท่าระดับเซลล์ หรือ quardruple-level cell, QLC) และกำลังเพิ่มขีดความสามารถมากกว่าอุปกรณ์แบบสามเท่าระดับเซลล์ หรือ TLC (Triple-level Cell) ซึ่งถือเป็นการผลักดันขอบเขตของเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบแฟลชไปอีกขั้น

ข่าวประชาสัมพัธ์สมาร์ทนิวส์นี้มีลักษณะเป็นสื่อมัลติมีเดีย สามารถรับชมฉบับเต็ม ได้ที: http://www.businesswire.com/news/home/20170627006601/en/

หน่วยความจำแฟลช QLC 3มิติ,  QLC 3D Flash Memory (รูปภาพ: Business Wire)

หน่วยความจำแฟลชแบบเซลล์มัลติบิตจะจัดเก็บข้อมูลโดยการจัดการจำนวนอิเล็กตรอนในเซลล์หน่วยความจำแต่ละเซลล์ ซึ่งการพัฒนาเทคโนโลยี QLC จนสำเร็จเช่นนี้ เป็นเรื่องที่ท้าทายด้านเทคนิค เนื่องจากการเพิ่มจำนวนบิตต่อเซลล์หนึ่งบิตโดยที่อยู่ในอิเล็กตรอนเดียวกันต้องใช้ความแม่นยำทางเทคโนโลยี TLC เพิ่มเป็นสองเท่า โดย บริษัทโตชิบาเมมโมรี่คอร์ปอเรชั่น ได้อาศัยวงจรขั้นสูงที่ถูกพัฒนามาอยากก้าวล้ำ และเทคโนโลยีการประมวลผลหน่วยความจำแฟลชแบบ 64 เลเยอร์ 3D 3 คุณภาพชั้นนำในอุตสาหกรรมเพื่อสร้างหน่วยความจำแฟลช QLC 3D ตัวนี้ขึ้นมา

อุปกรณ์ต้นแบบมีความจุ die สูงสุดที่มากที่สุดในโลก ๖the world’s largest die capacity)^[3]  อยู่ที่ 768 กิกะบิต / 96 กิกะไบต์ ด้วยกระบวนการหน่วยความจำแฟลชแบบ 3D 64 เลเยอร์ ทั้งนี้การจัดส่งต้นแบบไปยังผู้จัดจำหน่าย SSD และ SSD เพื่อการประเมินและพัฒนาจะเริ่มตั้งแต่ต้นเดือนมิถุนายน

หน่วยความจำแฟลชแบบ QLC 3D นี้ยังช่วยให้เกิดอุปกรณ์ 1.5 เทราไบต์ (TB) ที่มีสถาปัตยกรรมแบบ 16-die ที่อยู่ในแพ็กเกจเดียว ซึ่งถือเป็นความจุที่ใหญ่ที่สุดในอุตสาหกรรม^[4] ในขณะนี้ ตัวอย่างอุปกรณ์ที่ก้าวล้ำนี้จะมีการจัดแสดงในที่ประชุมสุดยอด Flash Memory 2017 ณ ซานตาคลาร่า รัฐแคลิฟอร์เนีย ประเทศสหรัฐอเมริกา ระหว่างวันที่ 7-10 สิงหาคม

โตชิบาผลิตอุปกรณ์ 64 กิกะบิทขนาด 256 กิกะบิท (32 กิกะไบต์) จำนวนมาก และจะขยายการผลิตต่อไปเพื่อแสดงถึงความเป็นผู้นำในอุตสาหกรรมด้วยการพัฒนาด้านเทคโนโลยี ที่มุ่งเน้นการตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับความหนาแน่นสูง แต่มีชิปหน่วยความจำแฟลชขนาดเล็ก ทั้งนี้โซลูชั่นอุปกรณ์ QLC ตัวใหม่นี้มีเป้าหมายในการเอาไปใช้ใน SSDองค์กร SSDผู้บริโภค และการ์ดหน่วยความจำ เป็นต้น

หมายเหตุ:

1. ที่มา: บริษัท โตชิบาเมมโมรี่คอร์ปอเรชั่น ณ วันที่ 28 มิถุนายน พ.ศ. 2560

2. โครงสร้างที่จัดเรียงเซลล์หน่วยความจำแฟลชในแนวตั้งบนพื้นผิวซิลิกอนเพื่อให้เกิดการปรับปรุงความหนาแน่นอย่างมีนัยสำคัญเหนือหน่วยความจำ NAND Flash ที่มีพื้นผิวเรียบซึ่งเซลล์จะถูกสร้างขึ้นบนพื้นผิวซิลิกอน

3. ที่มา: บริษัท โตชิบาเมมโมรี่คอร์ปอเรชั่น ณ วันที่ 28 มิถุนายน พ.ศ. 2560

4. ที่มา: บริษัท โตชิบาเมมโมรี่คอร์ปอเรชั่น ณ วันที่ 28 มิถุนายน 2560

• ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการที่กล่าวถึงในที่นี้อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของ บริษัทต่างๆ ที่เกี่ยวข้อง

ดูเวอร์ชั่นต้นฉบับได้ที่ businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20170627006601/en/

ติดต่อ:

โตชิบาเมมโมรี่คอร์ปอเรชั่น
Kota Yamaji, +81-3-3457-3473
ฝ่ายวางแผนธุรกิจ
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp